반도체는 1420°C 로 가열 된 용융 실리콘 용광료에서 시작됩니다. 듀블린 로타리조인트는 crucible (용광로)과 반대 방향으로 회전하는 풀러로드 (puller rod)를 냉각시킵니다. 풀러로드 끝에있는 종자 실리콘 결정이 용융물에서 천천히 들어 올려 시간이 지남에 따라 직경 300mm, 길이 2m의 잉곳이됩니다.
원통형 또는 직사각형 잉곳은 다이아몬드 코팅 와이어 톱으로 균일 한 웨이퍼로 절단됩니다. 듀블린 유니온은 절단을 부드럽고 똑바로 유지하는 가이드 롤러를 냉각시킵니다.
절단 후 웨이퍼를 연마하여 톱 자국과 표면 결함을 제거하고 웨이퍼를 최종 두께로 만듭니다. 듀블린 에어 로타리조인트는 공정 중에 균일 한 스톡 제거를 보장하고 듀블린 물용 유니온은 연삭 표면을 냉각응 유지합니다.
최종 연마는 웨이퍼 표면에 남아있는 미세한 결함을 제거하고 칩으로 만들 면에 미러 마감을 부여합니다. 듀블린 유니온은 연마 공정의 압력과 온도를 제어합니다.
Electro-Chemical Deposition은 화학 유체의 금속 원자가 웨이퍼 표면에 증착되는 프로세스입니다. 듀블린 유이온은 웨이퍼를 제자리에 고정하고 듀블린 슬립링은 성공적인 증착에 필요한 전류와 전압을 전송합니다.
원자 층 증착을 통해 듀블린 고객은 나노 미터 크기의 구조에서 균일 한 커버리지로 전도성 또는 절연 재료의 박막을 제작할 수 있습니다.
화학 기상 증착은 웨이퍼에 유전체 및 금속 재료의 나노 미터 두께 필름을 배치합니다. 이 공정은 매우 높은 온도 (800-2000 ° C)에서 발생하므로 듀블린 유니온이 장비를 냉각하고 공정 안정성을 유지해야합니다.
이온 주입은 트랜지스터를 형성하기 위해 칩 제조 중에 여러 번 사용됩니다. 이온 주입 중에 웨이퍼는 노출된 표면의 전기적 특성을 변경하는 도펀트라고 하는 전기적으로 충전된 이온 빔에 의해 충격을 받습니다.
화학적 기계적 평탄화는 최종 마이크로 프로세서, 메모리 칩, LED 및 기타 제품의 회로가 되는 추가 재료 층을 증착하기 위한 준비 과정에서 균일하게 평평한 웨이퍼 표면을 만듭니다.
듀블린 유니온은 정밀하게 보정 된 웨이퍼 제조 장비에서 열 안정성을 생성합니다. 듀블린 전기 슬립링은 장비에 내장 된 계측 시스템에 전력을 공급하고 데이터를 반환합니다.
롤 투롤 (Roll-to-Roll) 공정은 얇은 금속 층을 유연한 기판에 증착하여 태양 전지판, 박막 배터리 및 유연한 전자 장치를 만듭니다. 로타리조인트는 온도를 조절하고 고온 증착 공정에서 발생하는 열을 발산합니다.
