반도체

반도체는 1420°C로 가열된 용융 실리콘 도가니에서 시작됩니다. 듀블린 유니온은 도가니와 반대 방향으로 회전하는 풀러 로드를 냉각시킵니다. 풀러 로드 끝에 있는 시드 결정이 용융물에서 천천히 들어 올려져 시간이 지나면 최대 직경 300mm, 길이 2m의 잉곳이 만들어집니다.

원통형 또는 직사각형 잉곳은 다이아몬드 코팅된 와이어 톱으로 균일한 웨이퍼로 절단됩니다. 듀블린 유니온은 가이드 롤러를 냉각하여 절단면을 매끄럽고 곧게 유지합니다.

슬라이스 후 웨이퍼를 연마하여 톱 자국과 표면 결함을 제거하고 웨이퍼를 최종 두께로 만듭니다. 듀블린 에어 유니온은 공정 중에 균일한 스톡 제거를 보장하고 듀블린 워터 유니온은 연마 표면을 시원하게 유지합니다.

최종 연마는 웨이퍼 표면에 남아있는 미세한 결함을 제거하고 칩으로 만들어질 측면에 거울 마감을 부여합니다. 듀블린 유니온은 연마 공정의 압력 및 온도를 제어합니다.

전기 화학 증착은 화학 유체의 금속 원자가 웨이퍼 표면에 증착되는 공정입니다. 듀블린 유니온이 웨이퍼를 제자리에 고정하고 듀블린 슬립 링이 성공적인 증착에 필요한 전류와 전압을 전달합니다.

원자층 증착을 통해 듀블린 고객은 나노미터 크기의 구조에서 균일한 커버리지로 전도성 또는 절연성 소재의 박막을 제작할 수 있습니다.

화학 기상 증착은 웨이퍼에 유전체 및 금속 재료의 나노미터 두께의 막을 형성합니다. 이 공정은 매우 높은 온도(800-2000°C)에서 진행되므로 장비를 냉각하고 공정 안정성을 유지하기 위해 듀블린 유니온이 필요합니다.

이온 주입은 트랜지스터를 형성하기 위해 칩 제조 과정에서 여러 번 사용됩니다. 이온 주입 과정에서 웨이퍼는 도펀트라고 하는 전기적으로 하전된 이온 빔에 노출되어 노출된 표면의 전기적 특성을 변화시킵니다.

화학적 기계적 평탄화는 최종 마이크로프로세서, 메모리 칩, LED 및 기타 제품의 회로가 되는 추가 재료 층을 증착할 준비를 위해 웨이퍼 표면을 균일하게 평평하게 만듭니다.

듀블린 유니온은 정밀하게 보정된 웨이퍼 제조 장비에서 열 안정성을 제공합니다. 듀블린 전기 슬립 링은 장비에 내장된 계측 시스템에 전원을 공급하고 데이터를 반환합니다.

롤투롤 공정은 유연한 기판에 얇은 금속 층을 증착하여 태양 전지판, 박막 배터리 및 유연한 전자 제품을 만듭니다. 회전식 유니온은 고온 증착 공정에서 온도를 조절하고 열을 발산합니다.