半導体

半導体は、1420℃に加熱された溶融シリコンの坩堝から始まる。ドゥブリン・ユニオンが、坩堝と反対方向に回転するプラー・ロッドを冷却する。 プラー・ロッドの先端にある種結晶が融液からゆっくりと浮き上がり、時間をかけて直径300mm、長さ2mのインゴットになる。

円筒形または長方形のインゴットは、ダイヤモンドコーティングされたワイヤーソーで均一なウェハーにスライスされます。 ドウブリン製ユニオンがガイドローラーを冷却することで、カットが滑らかでまっすぐに保たれます。

スライス後、ウェーハは研削され、のこぎり跡や表面欠陥を除去し、最終的な厚さにされます。 デゥブリンのエアユニオンは、プロセス中の均一なストック除去を保証し、デゥブリンのウォーターユニオンは研削面を冷却します。

最終研磨では、ウェーハ表面に残った微細な欠陥を除去し、チップになる面に鏡面仕上げを施します。 ドゥーブリンのユニオンは、研磨プロセスの圧力と温度を制御します。

電気化学蒸着は、化学流体から金属原子をウェーハ表面に蒸着させるプロセスです。 ウェーハを所定の位置に固定するドゥーブリン・ユニオンと、蒸着を成功させるために必要な電流と電圧を伝達するドゥーブリン・スリップリングがあります。

原子層蒸着法により、お客様は導電性または絶縁性の薄膜をナノメートルサイズの構造で均一に形成することができます。

化学気相成長法は、ウェハー上に誘電体や金属材料のナノメートル厚の膜を形成するものです。 このプロセスは非常に高温（800～2000℃）で行われるため、装置の冷却とプロセスの安定性を維持するために、ドゥーブリン製ユニオンが必要となります。

イオン注入は、トランジスタを形成するためにチップ製造中に何度も使用される。イオン注入では、ウェハーにドーパントと呼ばれる電荷を帯びたイオンビームを照射し、表面の電気的特性を変化させます。

ケミカル・メカニカル平坦化は、最終的なマイクロプロセッサー、メモリーチップ、LED、その他の製品の回路となる材料の追加層を蒸着するための準備として、均一で平坦なウェハー表面を形成します。

ドゥーブリンの電気スリップリングは、装置に内蔵された計測システムに電力を供給し、計測システムからデータを返します。

ロールツーロールプロセスは、フレキシブル基板上に金属薄膜を蒸着し、ソーラーパネル、薄膜電池、フレキシブルエレクトロニクスを製造する。 ロータリーユニオンは温度を調整し、高温蒸着プロセスからの熱を放散する。